50WLED防爆照明燈ExdembIICT6IP66T80℃產(chǎn)品結構
 

　　1.燈具防爆型式為隔爆型或粉塵防爆型，適用于氣體或粉塵爆炸危險場所照明使用。
 

　　2.燈具光源腔，電器腔，接線腔構成，密閉式設計。
 

　　3.燈具由鋁合金壓鑄成型，電器腔內(nèi)含LED開關電源，接線端子等電器，接線腔內(nèi)含有用戶接線端子，光源腔內(nèi)部設有鋁合金鏡面反射器。
 

　　4.鋼化玻璃透光罩采用環(huán)氧樹脂澆封，透光率高，抗沖擊強。網(wǎng)罩采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼，表面聚酯粉末噴涂(防腐外殼經(jīng)過特殊金屬處理在表面聚酯粉末噴涂)。
 

　　5.燈具外露緊固件采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼，安裝有橡膠密封墊，密封可靠，防水防塵防腐性強。
 

　　6.內(nèi)置橡膠件，電纜外皮，塑料全采用抗高溫抗阻燃件，更安全可靠。
 

　　7.本燈具適用于管吊式，吸頂式，吸壁式，立桿式，支架式等多種安裝方式。
 

　　8.電源采用整體散熱技術，短路、過流、過壓、過溫保護。
 

　　如何安裝LED防爆燈
 

　　1.爆炸源遠低于危險或遠離電氣線路的安裝位置，爆炸危險的防爆電路主要鋼管或電纜布線。
 

　　2.電氣安裝接線，以及保護管，電纜或管道的不同部分之間通過墻或爆炸性氣體層，非可燃材料，應采取嚴密堵塞。
 

　　3.在配電線路的框架，爆炸性氣體環(huán)境危險等級1的銅導線或電纜應使用。震動應選擇更多的銅導體電纜銅線或多股。我不可以使用鋁芯電纜。
 

　　4.電力線爆炸危險區(qū)域內(nèi)的風險水平2 4節(jié)的范圍及以上應使用電線或電纜，照明電路超過2.5毫米2可與鋁導體的電線或電纜。
 

　　5.絕緣導線截面選擇允許電纜和電線的長延時電流承載能力不小于額定熔斷器和斷路器過流跳閘設定的1.25倍的電流。
 

　　LED低壓鼠籠式異步電動機起動允許應不小于1.25倍的電機額定電流負載流量的倍。
 

　　技術參數(shù)：
 

　　外形顏色：雅明防爆色 灰色 雅明色
 

　　光源類型：科銳CREE 品牌
 

　　燈珠數(shù)量：20/30/60/80顆
 

　　防爆標志：Exdemb II CT6
 

　　工作電壓：AC/DC 220V±20% 50Hz
 

　　額定功率：20/30/40/50/60/70/80/100/120/150W
 

　　光源色溫：暖白2700~4500K/正白5000~6500K
 

　　功率因數(shù)：0.98
 

　　功率流明：8400~12600lm
 

　　防護等級：IP65
 

　　防腐等級：WF2
 

　　引入裝置：G3/4"引入口規(guī)格，合適Φ 8mm～Φ12mm電纜
 

　　安裝方式：吸頂式、壁式、嵌入式、路燈式
 

　　LED防爆燈發(fā)光原理：
 

　　LED即發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導體器件，它可以直接電能轉(zhuǎn)化成光。LED的核心是一個半導體晶片，半導體晶片由兩部分組成，一部風是P型半導體，
 

　　在它里面空穴占主導位置，另一端是N型半導體，在這里面主要是電子，兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個P-N結，當電流通過導線作用于晶片時，
 

　　電子就會被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子根空穴復合，就會以光子的形式發(fā)出可見光。
 

　　發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，
 

　　即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。
 

　　進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復合而發(fā)光。
 

　　假設發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，
 

　　還有些電子被非發(fā)光中心(這個中心介于導帶、介帶中間附近)捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。
 

　　理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬度Eg有關，即
 

　　λ≈1240/Eg(mm)
 

　　式中Eg的單位為電子伏特(eV)。若能產(chǎn)生可見光(波長在380nm紫光～780nm紅光)，半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。
 

　　現(xiàn)在已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使用不普遍。